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半桥驱动芯片PN7103替换IR2103
2016-05-19
半桥驱动芯片PN7103替换IR2103
芯朋微半桥驱动芯片-PN7103
PN7103SEC-R1芯朋微半桥驱动芯片
PN7103概述
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构，该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。
PN7103特性
◆ 高压范围达+600V
◆ 3.3V逻辑兼容
◆ 抗dv/dt能力+-50V/nsec
◆ 自举工作的浮地通道
◆ 栅驱动电压范围10V-20V
◆ 低侧欠压保护（UVLO）功能
◆ 输出拉灌电流能力300mA/600mA
◆ 独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构
◆ 抗-5V瞬态负VS能力
◆ 高低侧通道均延时匹配
PN7103应用领域
◆ 中小型功率电机驱动
◆ 功率MOSFET或IGBT
◆ 半桥功率逆变器
